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| Verpolungsschutz mit MosfetEine weitere Methode, eine Schaltung von einer Verpolung zu schützen, setzt auf die Mosfet Transistoren. Der Hauptgrund dafür ist, dass diese
Transistoren einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweisen, was dazu führt, dass nur mit geringem Spannungsabfall zu rechnen ist. Der in der Testschaltung
eingesetzte Transistor IRFZ20 hat einen Rds-Widerstand von lediglich 0,1 Ohm (10Vgs). Bei einem Strom von 2A hätten wir hier einen Spannungsabfall von lediglich
20 mV. Das ist deutlich weniger als im Fall einer Gleichrichterdiode, die als Verpolungsschutz ebenfalls angewendet werden kann. Als Verpolungsschutz können beide
Transistortypen, P-Kanal und N-kanal, verwendet werden. Unabhängig davon, für welchen Transistortyp man sich entscheidet, die Lösung ist einfach und bedarf
nur wenige Bauteile.
![]() Der Transistor ist in Reihe mit dem Plus-Pol der Versorgungsspannung verschaltet. Sobald eine korrekt gepolte positive Spannung am Eingang angelegt
wird, wird der Transistor leitend. Das wird dadurch sichergestellt, dass Gate an Minus angeschlossen ist und damit ein geringeres Potenzial als die Versorgungsspannung
aufweist. Der Transistor leitet und die sich dahinter befindliche Verbraucher-Schaltung wird mit Strom versorgt. Wenn jedoch die Versorgungsspannung falsch angeschlossen
wird, wird der Transistor gesperrt, wodurch die Verbraucher-Schaltung geschützt wird. Verpolungsschutz mit N-Kanal-MOSFETIn unserer Testschaltung kommt ein N-Kanal Mosfet (IRFZ20) zum Einsatz. Der Transistor wird, anders als im Fall eines P-FET, in Reihe mit dem Minus
der Versorgungsquelle
verschaltet. Ansonsten bleibt das Prinzip des Schutzes gleich. Sobald richtig gepolte Versorgungsspannung ins Spiel kommt, wird der Transistor leitend und die
Verbraucher-Schaltung regulär mit Strom versorgt. In diesem Fall hat das Gate das Potenzial der Versorgungsspannung, damit ein höheres Potenzial als das, das an
dem Source-Anschluss herrscht.
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